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DDR2内存芯片采用Fine-pitch BGA（FBGA）芯片封装技术以改善电性能和热性能。另外，DDR2内存芯片安装有On-Die Termination（ODT）,将在高速运行下产生的反馈信号最小化，从而改进时延值。DDR2内存芯片可以达到4GB，并可组成更高容量的模组。而现在笔记本也均以Intel i915PM/GM主板为主的平台，同时与台式机加速推进DDRII内存的发展和普及。

Kingston 1G DDRII533笔记本内存为现在许多采用INTEL笔记本平台的消费者带来更广阔的升级空间。随着软件，游戏等方面对系统内存的要求更高，许多消费者已经开始倾向于配置更大容量的内存来保证性能。该内存采用标准SO-DIMM封装规格，频率高达533MHz，电压1.8V，CL延迟=4R2内存芯片采用Fine-pitch BGA（FBGA）芯片封装技术以改善电性能和热性能。另外，DDR2内存芯片安装有On-Die Termination（ODT）,将在高速运行下产生的反馈信号最小化，从而改进时延值。DDR2内存芯片可以达到4GB，并可组成更高容量的模组。而现在笔记本也均以Intel i915PM/GM主板为主的平台，同时与台式机加速推进D

DDR2内存芯片采用Fine-pitch BGA（FBGA）芯片封装技术以改善电性能和热性能。另外，DDR2内存芯片安装有On-Die Termination（ODT）,将在高速运行下产生的反馈信号最小化，从而改进时延值。DDR2内存芯片可以达到4GB，并可组成更高容量的模组。而现在笔记本也均以Intel i915PM/GM主板为主的平台，同时与台式机加速推进DDRII内存的发展和普及。

Kingston 1G DDRII533笔记本内存为现在许多采用INTEL笔记本平台的消费者带来更广阔的升级空间。随着软件，游戏等方面对系统内存的要求更高，许多消费者已经开始倾向于配置更大容量的内存来保证性能。该内存采用标准SO-DIMM封装规格，频率高达533MHz，电压1.8V，CL延迟=4

DDR2内存芯片采用Fine-pitch BGA（FBGA）芯片封装技术以改善电性能和热性能。另外，DDR2内存芯片安装有On-Die Termination（ODT）,将在高速运行下产生的反馈信号最小化，从而改进时延值。DDR2内存芯片可以达到4GB，并可组成更高容量的模组。而现在笔记本也均以Intel i915PM/GM主板为主的平台，同时与台式机加速推进DDRII内存的发展和普及。

DRII内存的发展和普及。

Kingston 1G DDRII533笔记本内存为现在许多采用INTEL笔记本平台的消费者带来更广阔的升级空间。随着软件，游戏等方面对系统内存的要求更高，许多消费者已经开始倾向于配置更大容量的内存来保证性能。该内存采用标准SO-DIMM封装规格，频率高达533MHz，电压1.8V，CL延迟=4参数